功率半導體是通過高(gao)速開關轉換功(gong)率的(de)(de)元件。 近年來，它(ta)們(men)在電(dian)動汽車（EV）電(dian)機和光伏(fu)發電(dian)等領域(yu)(yu)的(de)(de)應用尤為突出，而采用新材料的(de)(de)產品也(ye)隨著應用領域(yu)(yu)的(de)(de)不斷(duan)擴(kuo)大而問世(shi)。

功(gong)(gong)率(lv)(lv)半導(dao)體(ti)是控制和轉(zhuan)換電源功(gong)(gong)率(lv)(lv)的電子元件(jian)，因其能承受高(gao)(gao)電壓(ya)和大(da)電流故得名 "功(gong)(gong)率(lv)(lv)"。半導(dao)體(ti)的主要(yao)(yao)作用(yong)是信(xin)息處理(li)，如運算、記憶和信(xin)號處理(li)；而功(gong)(gong)率(lv)(lv)半導(dao)體(ti)的主要(yao)(yao)作用(yong)是供應、控制和轉(zhuan)換電源和電力。功(gong)(gong)率(lv)(lv)半導(dao)體(ti)可以處理(li)高(gao)(gao)電壓(ya)和大(da)電流，不僅可用(yong)于一般家用(yong)電器，還可用(yong)于電動汽車(che)（EV）電機和電池、太(tai)陽能發電等領域。

據說，功率半(ban)導(dao)體(ti)的(de)(de)起源(yuan)于1950年(nian)開發的(de)(de)集成(cheng)電路(lu)，并(bing)于1960年(nian)開始(shi)(shi)大規(gui)模生產。1970 年(nian)晶體(ti)管(guan)之一的(de)(de)MOSFET問世，1980年(nian)基于 MOSFET技術 IGBT成(cheng)功研發，高效耐(nai)用的(de)(de)功率半(ban)導(dao)體(ti)開始(shi)(shi)投(tou)入實際應用。

功率半導體的特點

能(neng)夠(gou)處(chu)理(li) 1 A 或(huo)更大額(e)定電流的(de)(de)半導(dao)體(ti)(ti)被稱為功(gong)率(lv)半導(dao)體(ti)(ti)。 另外(wai)，能(neng)處(chu)理(li) 1 W 以(yi)上(shang)功(gong)率(lv)的(de)(de)半導(dao)體(ti)(ti)也被認為是功(gong)率(lv)半導(dao)體(ti)(ti)。功(gong)率(lv)半導(dao)體(ti)(ti)本身并沒有明確的(de)(de)定義。

功率半導體的(de)(de)主(zhu)要特點是能處(chu)理高電壓和大(da)電流。 并且，它(ta)們在工(gong)作過程中的(de)(de)功率損耗小，設計上易(yi)于散熱(re)，在節(jie)(jie)能和節(jie)(jie)電方面發(fa)揮了重(zhong)要作用。

美(mei)蓓亞(ya)三美(mei)多年來專注于各種精密零(ling)部件的開發(fa)，同時(shi)布局(ju)半(ban)導體行業邁向(xiang)高精尖領域，不僅拓展了芯片業務，還通過提高封裝和模塊化技術及生產(chan)能力(li)來擴大功率半(ban)導體業務。

今后，美(mei)蓓亞三美(mei)將(jiang)整合從功率半(ban)導體開發(fa)到生產(chan)的(de)垂直生產(chan)系統(tong)，并結合強大的(de)電源相關(guan)產(chan)品，提(ti)供可(ke)處理大電流的(de)創新型功率半(ban)導體。