MM3723系(xi)列安裝在1.09 mm x 0.81 mm x 0.46 mm WLCSP封裝中。 采(cai)用高耐壓CMOS制造工(gong)藝的保護(hu)IC，用于可(ke)(ke)充(chong)電(dian)(dian)鋰離子、鋰聚合(he)(he)物(wu)電(dian)(dian)池(chi)的過(guo)(guo)(guo)(guo)充(chong)電(dian)(dian)、過(guo)(guo)(guo)(guo)放(fang)電(dian)(dian)和(he)過(guo)(guo)(guo)(guo)電(dian)(dian)流保護(hu)。可(ke)(ke)對鋰離子/鋰聚合(he)(he)物(wu)單串電(dian)(dian)池(chi)的過(guo)(guo)(guo)(guo)充(chong)電(dian)(dian)、過(guo)(guo)(guo)(guo)放(fang)電(dian)(dian)、放(fang)電(dian)(dian)過(guo)(guo)(guo)(guo)電(dian)(dian)流、短路和(he)充(chong)電(dian)(dian)過(guo)(guo)(guo)(guo)電(dian)(dian)流進行檢測(ce)。

單串(chuan)用

（1）各種檢(jian)測/解除電壓的選擇范(fan)圍與精度(du)

　● 過(guo)充電檢測電壓 3.6V ~ 4.6V，5mV step 精度±12mV

　● 過放電(dian)(dian)檢測(ce)電(dian)(dian)壓 2.00V ~ 3.00V，50mV step 精度(du)±35mV

　● 放電(dian)過電(dian)流(liu)檢測電(dian)壓 20mV ~ 100mV，1mV step 精度±⊿V　*1

　● 充電過電流檢測(ce)電壓(ya) -100mV ~ -20mV，1mV step 精度(du)±⊿V　*1

　● 短路檢測電壓 100mV ~ 300mV，10mV step 精(jing)度±8%

（2）各種檢(jian)測延(yan)時時間的選擇范(fan)圍(wei)

　● 過充電檢(jian)測(ce)延時時間 1.0s、1.2s、4.0s可(ke)選

　● 過放(fang)電(dian)檢測延時(shi)時(shi)間 20ms、24ms、32ms、96ms、128ms可選

　● 放電過電流檢測延時時間 8ms、12ms、16ms、20ms、256ms、512ms可(ke)選

　● 充電(dian)過電(dian)流檢測延時時間 4ms、6ms、8ms、10ms、12ms、16ms、96ms可選

　● 短(duan)路檢測(ce)延(yan)時(shi)時(shi)間 250μs ~ 400μs 標準(zhun)

（3）0V電池充電功能(neng)　可(ke)選擇(ze)［禁止］/［允許］

（4）低消耗電流

　● 正常工作模式時(shi) Typ. 2.5μA，Max. 4.0μA

　● 待機模式下 Max. 0.1μA （有(you)過放電鎖定功(gong)能(neng)時）

Max. 0.6μA （無過放電鎖定功能時）