MM3645系(xi)(xi)列(lie)是采用高耐壓CMOS工藝的(de)鋰離子、鋰聚合物(wu)可充(chong)電(dian)(dian)(dian)電(dian)(dian)(dian)池的(de)保(bao)護(hu)IC。 IC通過(guo)檢(jian)(jian)測(ce)(ce)過(guo)充(chong)電(dian)(dian)(dian)，過(guo)放電(dian)(dian)(dian)，過(guo)電(dian)(dian)(dian)流等(deng)來控制FET SW通斷，從而對電(dian)(dian)(dian)池組(zu)進行(xing)保(bao)護(hu)。 本IC系(xi)(xi)列(lie)則是通過(guo)外圍Sense電(dian)(dian)(dian)阻來檢(jian)(jian)測(ce)(ce)，可實現高精度的(de)過(guo)電(dian)(dian)(dian)流檢(jian)(jian)測(ce)(ce)和(he)不受溫(wen)度影響。 此外，通過(guo)禁止(zhi)放電(dian)(dian)(dian)模(mo)式降低(di)了系(xi)(xi)統的(de)關機(ji)電(dian)(dian)(dian)流，并(bing)防止(zhi)系(xi)(xi)統關機(ji)后(hou)鋰離子電(dian)(dian)(dian)池還在(zai)放電(dian)(dian)(dian)。

單(dan)串用(yong)

（1）檢測電壓選擇范圍與精度

● 過充電(dian)檢測電(dian)壓 3.6V ~ 5.0V，5mV進階可選 精度±20mV

● 過(guo)放電檢測電壓 2.0V ~ 3.0V，50mV進階可選 精度(du)±35mV

● 放電過電流檢測電壓 20mV ~ 300mV，1mV進階可選(xuan) 精(jing)度±15%

● 充電(dian)過電(dian)流檢測電(dian)壓 -300mV ~ 20mV，1mV進(jin)階可選 精度±15%

● 短路檢測電(dian)壓 0.45V ~ 0.9V，50mV進階可選 精度(du)±100mV

（2）各種檢測延時(shi)時(shi)間(jian)的選擇范圍

● 過充電檢測(ce)延時時間 0.25s、0.5s、1.0s可選

● 過(guo)放電檢測延(yan)時時間 20ms、24ms、96ms、125ms可選

● 放電過電流檢測(ce)延(yan)時(shi)(shi)時(shi)(shi)間 8ms、12ms、16ms、20ms、48ms可選

● 充電過電流(liu)檢測延(yan)時(shi)時(shi)間 8ms、12ms、16ms、20ms、48ms可(ke)選

● 短路檢測延時時間 250μs標準

（3）0V電(dian)池充(chong)電(dian)功能　可(ke)選擇［禁止］/［允(yun)許］

（4）配備強制放(fang)電禁止模式

當CNT>VDD-0.4： DOUT＝L　進入(ru)強制放電禁止模式

當CNT<VSS-0.4 ： DOUT＝H  解(jie)除強制放電禁止模式

（5）低消耗電流

● 普通工(gong)作模式時 Typ. 3.0μA，Max. 5.5μA

● 待機模式時 Max. 0.1μA