MJ3542系列是(shi)用于可(ke)充(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)鋰(li)(li)離子/鋰(li)(li)聚(ju)合物電(dian)(dian)(dian)(dian)池的(de)保護(hu)(hu)IC，它將保護(hu)(hu)IC和MOS-FET結合在一個封裝(zhuang)中。 可(ke)對(dui)鋰(li)(li)離子/鋰(li)(li)聚(ju)合物單串電(dian)(dian)(dian)(dian)池的(de)過(guo)充(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)、過(guo)放(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)、放(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)過(guo)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)、短路及(ji)充(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)過(guo)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)進行檢(jian)測。OTP技術實現了(le)對(dui)電(dian)(dian)(dian)(dian)池異常情況的(de)超(chao)精確(que)檢(jian)測和保護(hu)(hu)。

單串用

（1）各種檢測/解除電壓的選(xuan)擇與精度(du)

　● 過充電(dian)檢測電(dian)壓 4.10 V ~ 4.60 V，5 mV step 精度±10 mV

　● 過充電解除電壓 Vdet1 ~ CHYS（*1）

　● 過放電(dian)檢測(ce)電(dian)壓(ya) 2.00V ~ 2.80V，100mV step 精度±35mV

　● 過放(fang)電(dian)解除電(dian)壓 Vdet2 + DHYS（*2）

　● 放電(dian)過電(dian)流檢測電(dian)流 3.0A ~ 12.0A，0.1A step*3

　● 充電過電流檢測電流 3.0A ~ 12.0A，0.1A step *3

　● 短路檢測電壓90mV ~ 180mV，5mV step 精度±10mV

（2）各種(zhong)檢測/解(jie)除延時時間(jian)的選擇范圍

　● 過充電檢測延(yan)時時間 1.024s、4.6s可(ke)選

　● 過充電解(jie)除(chu)延時(shi)(shi)時(shi)(shi)間 8ms、16ms可選

　● 過放(fang)電(dian)檢測延時(shi)時(shi)間 可(ke)在(zai) 20ms、96ms、144ms可(ke)選(xuan)

　● 過電過電流檢測延時時間 6ms、8ms、12ms、16ms、20ms、32ms、128ms、256ms可選

　● 充(chong)電(dian)過電(dian)流檢測(ce)延時(shi)時(shi)間 8ms、16ms、32ms可選

　● 短路(lu)檢測延時(shi)時(shi)間 300us ~ 600us，50μs step 可(ke)選(xuan)

（3）0V電(dian)池充電(dian)功能 可選擇［禁(jin)止］/［允許］

（4）低消耗電流

　● 正常(chang)工作模式時 Typ. 4.5μA， Max. 7.0μA

　● 待機模(mo)式(shi)時 Max. 0.1μA （當有“過放電鎖(suo)定功能”時）

       ;       Max. 0.3μA （當無“過放電鎖定功能(neng)”時）

（5） MOS-FET的源對源導通電阻 Typ. 4.7mΩ（@VCC=3.6V）

1 CHYS（滯后電壓）無（0V）、CHYS1、CHYS2可(ke)選 CHYS1、CHYS2依存于Vdet1的設定(ding)值

2 DHYS（滯后電壓(ya)）無（0 V）、DHYS1、DHYS2、DHYS3可選 DHYS1、DHYS2、DHYS3依(yi)存(cun)于(yu)Vdet2的設定(ding)值

3 過電流檢(jian)測電流的(de)精度取(qu)決于(yu)設(she)定值。了解更多詳(xiang)情，請聯系(xi)我(wo)們。